无化学掺杂控制的异质结，实现自驱动光电探测器和互补逻辑电路成果介绍基于过渡金属硫族化合物的2D范德华异质结有望成为下一代纳米电子和光电子学的独特基石。控制2D异质结性质的能力是实际应用的关键。有鉴于此，近日，复旦大学张增星教授团队报道了一种基于MoTe2/MoSe2 p-n异质结的高性能自驱动光电探测器的简单制备方法，其中MoTe2中空穴主导的输运极性通过直接的空气热退火处理很容易实现，而不需要任何化学掺杂剂或特殊气体。在零偏置电压下获得了0.72 A W-1的高光响应率，高达41.3%的外量子效率，7×1011 Jones的探测率和120 μs的响应速度。此外，还利用该掺杂方法实现了电压增益为24的互补逆变器。通过对2D p-MoTe2和n-MoSe2的按需配置，本文成功实现了NAND门和NOR门的逻辑功能。这些结果为未来大规模异质集成的2D电子器件和光电子器件提供了巨大的潜力。图文导读图1. 器件结构和表征。图2. 热退火前后MoTe2和MoSe2 FET的电学特性。图3. 晶体管极性转变和XPS表征及SBH提取。图4. 基于MoTe2/MoSe2 p-n异质结的自驱动光电探测器。图5. 互补反相器的光学图像和电学性质。图6. 互补NAND和NOR逻辑电路。文献信息Chemical Dopant-Free Controlled MoTe2/MoSe2 Heterostructure toward a Self-Driven Photodetector and Complementary Logic Circuits(ACS Appl. Mater. Interfaces, 2023, DOI:10.1021/acsami.2c21785)文献链接：网页链接
2、成果简介范文具有2D电子气的大面积超薄InN和锡掺杂InN纳米片成果介绍氮化铟 (InN) 在创建和研究二维电子气 (2DEG) 方面具有重要意义。有鉴于此，近日，澳大利亚皇家墨尔本理工大学Torben Daeneke，Chris F. McConville和Nitu Syed（共同通讯作者）等展示了在室温下具有高载流子迁移率的超薄掺杂和未掺杂2D InN纳米片中2DEG的形成。该合成是通过两步液态金属基印刷方法进行的，然后是微波等离子体增强的氮化反应。在大面积上分离出厚度约为2±0.2 nm的超薄InN纳米片，横向尺寸超过厘米级。室温霍尔效应测量显示，未掺杂和掺杂InN的载流子迁移率分别为~216和~148 cm2 V-1 s-1。进一步的分析表明，在这些超薄氮化物纳米片中存在定义的量子化状态，这可归因于强烈的面外限制而形成的2D电子气。总体而言，未掺杂和掺杂的超薄2D InN中电子和等离子体特征的组合有望用于构建先进的光电器件和功能性2D异质结。图文导读图1. 大面积超薄InN纳米片的合成过程。图2. 2D InN和Sn:InN薄膜的形态和TEM表征。图3. 2D InN和Sn:InN的XPS表征。图4. 2D Sn:InN的光学和STEM-HAADF表征。图5. InN片的自旋和原子分辨能带结构。图6. 两个色散带中状态的总模平方。文献信息Large Area Ultrathin InN and Tin Doped InN Nanosheets Featuring 2D Electron Gases(ACS Nano, 2022, DOI:10.1021/acsnano.1c09636)文献链接：网页链接
3、成果简介是啥具有法布里-珀罗腔和激子吸收协同效应的2D材料进行极精细的彩色打印成果介绍基于等离激元和介电纳米结构的结构化颜色已成为高分辨彩色印刷中吸附染料或颜料的有吸引力替代品。颜色分辨率由纳米谐振器的光学谐振峰微调决定，并受到有限几何尺寸的强烈限制。有鉴于此，近日，哈尔滨工业大学王英英副教授和东南大学倪振华教授（共同通讯作者）等合作证明了包括MoS2和GaSe在内的2D材料是独特的材料，可产生全色域、鲜艳和极其微调的色彩。由于法布里-珀罗腔长度的原子厚度变化和激子引起的额外吸收，光学共振峰可以在亚纳米水平上进行调谐。因此，从CIE 1931图上的反射光谱转换的xy值显示沿x轴（y轴）的平均步长为0.0019(0.0052)，分辨率比当前的等离激元和介电纳米谐振器高一个数量级。通过使用GaSe薄片制造彩色图案，进一步证明了2D材料在亚微米彩色印刷上的适用性，印刷图像的分辨率为每英寸50800行(LPI)和每英寸25400点(DPI)，而无需混色。颜色图案由波长分辨率为20 nm的不同可见光选择性识别。因此，2D材料为高分辨打印、防伪和高密度光谱编码存储提供了新平台。图文导读图1. 2D材料的反射率由法布里-珀罗腔诱导的干涉效应和激子吸收的协同效应控制。图2. 宽分布的色域。图3. 原子厚度和激子吸收对微调颜色的影响图4. 通过电子束光刻在GaSe薄片上制作带有“HIT·SEU”字母的亚微图案。文献信息Extremely-Fine Color Printing by 2D Materials with the Synergetic Effects of Fabry–Pérot Cavity and Exciton Absorption(Laser Photonics Rev., 2022, DOI:10.1002/lpor.202200394)文献链接：网页链接
4、成果简介和成果报告有什么区别用于光子级探测的超灵敏铁电半导体光电晶体管成果介绍近日，中科院国家纳米科学中心王振兴研究员，王峰和中国人民大学程志海教授（共同通讯作者）等演示了一种在铁电半导体沟道α-In2Se3中采用光致铁电反转机制的弱光光电晶体管。它显示出7.9×10-22 W Hz-1/2的创纪录低噪声等效功率，6.34×1017 Jones的创纪录高比探测率，在光子计数模式下接近20个光子的灵敏度以及在上升/衰减期间260 µs/50 ns的快速时间响应。它还可以用作光电存储器，开/关比为2.9×105，保留时间超过10年，寿命超过106次。由于其高性能、简单的架构和小工作电压，该光电晶体管为新一代弱光图像传感器提供了一个可行的平台。文章以“Ultrasensitive Ferroelectric Semiconductor Phototransistors for Photon-Level Detection”为题发表在著名期刊Advanced Functional Materials上。#成果简介#
5、成果简介怎么写Nano Lett.：石墨烯超材料通过热辐射的超快可调谐太赫兹到可见光转换成果介绍几项技术，包括光探测、成像和数据通信，都可以从太赫兹(THz)光到可见光的快速可控转换中获益。有鉴于此，近日，德国亥姆霍兹-德累斯顿-罗森多夫研究中心Sergey Kovalev，Igor Ilyakov和西班牙加泰罗尼亚纳米科学和纳米技术研究所Klaas-Jan Tielrooij（共同通讯作者）等合作证明了石墨烯中电子热的特殊性质和动力学，允许太赫兹到可见光的转换，在亚纳秒的时间尺度上可切换。通过使用1 V数量级的栅控电压，本文展示了发射可见光的可调开/关比超过30。本文还证明，光栅-石墨烯超材料导致可见光范围内THz诱导的发射功率增加2个数量级。实验结果与热力学模型一致，描述了通过带内Drude吸收THz光加热的电子系统产生的黑体辐射。这些结果为THz光电子技术的新功能提供了一条有希望的途径。图文导读图1. （a）电栅控石墨烯样品中THz诱导光发射的示意图。（b）时间相关单光子计数测量的发射的时间依赖性。（c）使用栅极电压控制可见光范围内的THz诱导发射，其中发射幅度(以计数/s为单位)变化超过30倍。图2. THz诱导的发射光谱和相应的辐射温度。图3. 增强THz诱导的可见光发射。文献信息Ultrafast Tunable Terahertz-to-Visible Light Conversion through Thermal Radiation from Graphene Metamaterials(Nano Lett., 2023, DOI:10.1021/acs.nanolett.3c00507)文献链接：网页链接
